ROHM RF4P025ATTCR
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -12.99%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Descrizioni
Descrizioni di ROHM RF4P025ATTCR fornite dai suoi distributori.
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 2.5 A, 0.26 ohm, DFN2020, Surface Mount
2W(Ta) 20V 2.5V@1mA 19.7nC@ 10 V 1individualPChannel 100V 260mΩ@ 2.5A,10V 590pF@50V SMD mount
Trans MOSFET P-CH 100V 2.5A 8-Pin HUML T/R
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 100V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, P沟道, 100V, 2.5A, DFN2020;
MOSFET, P-CH, 100V, 2.5A, DFN2020;
PCH -100V -2.5A POWER MOSFET: RF
Alias del produttore
ROHM ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. ROHM può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -12.99%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Resistance280 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Max Operating Temperature150 °C
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Schede tecniche e documenti
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