ROHM IMZ1AT108
$ 0.139
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +301%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per ROHM IMZ1AT108.
Modelli CAD
Scarica il simbolo ROHM IMZ1AT108, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)
Descrizioni
Descrizioni di ROHM IMZ1AT108 fornite dai suoi distributori.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
IMZ1A Series 50 V 150 mA Surface Mount Dual NPN/PNP Digital Transistor - SC-74
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R
ROHM IMZ1AT108 Dual NPN+PNP Bipolar Transistor, 0.15 A, 50 V, 6-Pin SC-74 | ROHM Semiconductor IMZ1AT108
50V 300mW 120@1mA,6V 150mA 1PCSNPN&1PCSPNP SOT-23-6 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Dual Transistor NPN/PNP 400mV@5mA/50mA 500mV@5mA/50mA 300mW 7V@NPN 6V@PNP 100nA 60V 50V 150mA SOT-163 SMD 1.3mm H
MOSFET, NPNPNP, 50V, SOT457; Transistor Polarity: NPN, PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Power Dissipation Pd: 300mW; DC Collector Current: 150mA; DC Current Gain hFE: 120hFE; Transistor Case Style: SOT-457; No. of Pins: 6Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 400mV; Current Ic Continuous a Max: 50mA; Gain Bandwidth ft Typ: 180MHz; Hfe Min: 120; Module Configuration: Dual; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Transistor Type: General Purpose; Transition Frequency ft: 180MHz
Alias del produttore
ROHM ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. ROHM può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +301%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSMD/SMT
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current-150 mA
Current Rating150 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)-6 V
Gain Bandwidth Product180 MHz
hFE Min120
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current150 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current150 mA
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Operating Supply Voltage50 V
PackagingCut Tape
PolarityNPN, PNP
Power Dissipation300 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency180 MHz
Dimensions
Height1 mm
Length2.9 mm
Width1.6 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per ROHM IMZ1AT108.
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant