ROHM 2SD2351T106W
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descrizioni
Descrizioni di ROHM 2SD2351T106W fornite dai suoi distributori.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHM 2SD2351T106W NPN Bipolar Transistor, 0.15 A, 50 V, 3-Pin SC-70 | ROHM Semiconductor 2SD2351T106W
300mV@5mA 50mA NPN 200mW 12V 300nA 60V 50V 150mA SOT SMD 2mm × 1.25mm × 800μm
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin UMT T/R
TRANSISTOR, NPN, 50, SOT-323; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Transition Frequency ft: 250MHz; Power Dissipation Pd: 200mW; DC Collector Current: 50mA; DC Current Gain hFE: 820hFE; Transistor Case Style: SOT-323; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 300mV; Current Ic Continuous a Max: 50mA; Gain Bandwidth ft Typ: 250MHz; Hfe Min: 820; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: General Purpose
Alias del produttore
ROHM ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. ROHM può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Rohm Semiconductor
- ROHM CO LTD
- RHOM
- ROH
- RHM
- ROHM ELECTRONICS
- ROM
- ROMH
- ROHS
- ROHN
- ROHM SEMI
- ROHM Semicon
- ROHM CORPORATION
- ROHM CORP
- MIYA
- Rohm Company Limited
- ROHM CO
- ROHM ELEC
- ROHM Semiconductors
- ROHM ELECTRO
- ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
- ROHM COMPANY LTD
- ROHM INC
- ROHM/MISC
- ROHM/NONE
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-323
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current150 mA
Current Rating150 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)12 V
Gain Bandwidth Product250 MHz
hFE Min1200
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current150 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height900 µm
Length2 mm
Width1.35 mm
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant