Rochester Electronics IRGP4760DPBF

Igbt With Recovery Diode / Igbt 650 V 90 A 325 W Through Hole TO-247AC
$ 3.98
Obsolete
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Schede tecniche e documenti

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IHS

Datasheet12 pagine11 anni fa

Cronologia dell'inventario

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Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-07-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2017-03-16
LTD Date2017-09-16

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Descrizioni

Descrizioni di Rochester Electronics IRGP4760DPBF fornite dai suoi distributori.

IGBT WITH RECOVERY DIODE / IGBT 650 V 90 A 325 W Through Hole TO-247AC
Win Source
Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 325W 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Verical
Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC
IHS
IRGP4760 DISCRETE IGBT WITH ANTI-PARALL;
Farnell
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Newark
Benefits: Low VCE(ON) and Switching Losses; 5.5s Short Circuit SOA; Square RBSOA; Maximum Junction Temperature 175C; Positive VCE(ON) Temperature Coefficient; Lead-Free, RoHs compliant
Infineon

Immagini

Rochester Electronics
TME
Infineon

Alias del produttore

Rochester Electronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Rochester Electronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Rochester Electronics LLC
  • ROCHESTER
  • ROCHESTER ELECTRONIC
  • ROCHESTER ELECTRONICS INC
  • ONSEMI (VIA ROCHESTER)
  • Rochester Electron
  • ROCHESTER(REI)
  • ROCHESTER INSTRUMENT
  • REI
  • Triscend Corp
  • NFROCHESTER
  • ROCHESTER ELECT INC
  • Rochester(Intersil)
  • Rochester Elec

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • SP001532964