Rochester Electronics IPS105N03LG
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Obsolete
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Distributore
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Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
0 models available
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Rochester Electronics IPS105N03LG.
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-10-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
Descrizioni
Descrizioni di Rochester Electronics IPS105N03LG fornite dai suoi distributori.
MOSFET, N CH, 35A, 30V, PG-TO251-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
38W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 14nC@ 10 V 1individualNChannel 30V 10.5mΩ@ 30A,10V 35A 1.5nF@15V TO-251 Through hole mounting 10.2mm*4.5mm*9.45mm
MOSFET, N CH, 35A, 30V, PG-TO251-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):8.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:38W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-251; No. of Pins:3; Current Id Max:35A; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
Alias del produttore
Rochester Electronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Rochester Electronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Rochester Electronics LLC
- ROCHESTER
- ROCHESTER ELECTRONIC
- ROCHESTER ELECTRONICS INC
- ONSEMI (VIA ROCHESTER)
- Rochester Electron
- ROCHESTER(REI)
- ROCHESTER INSTRUMENT
- REI
- Triscend Corp
- NFROCHESTER
- ROCHESTER ELECT INC
- Rochester(Intersil)
- Rochester Elec
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
0 models available
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-251
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance10.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.5 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation38 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation38 W
Rds On Max10.5 mΩ
Rise Time14 ns
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time3.7 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Rochester Electronics IPS105N03LG.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità