Rochester Electronics BSM25GB120DN2

Trans IGBT Module N-CH 1200V 38A 200000mW 7-Pin 34MM-1
$ 33.13
Obsolete
Pagina del produttoreScheda dati

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Rochester Electronics BSM25GB120DN2.

IHS

Datasheet10 pagine26 anni fa
Datasheet0 pagine0 anni fa

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
Restocked

Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2015-03-31
LTD Date2015-09-30

Parti correlate

Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Trans IGBT Module N-CH 1200V 28A 130000mW 23-Pin EASY1B-1 Tray
Trans IGBT Module N=-CH 1200V 45A 205000mW 18-Pin EASY1B Tray
FULL-BRIDGE NPT IGBT POWER MODULE Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 270000mW 32-Pin Case SP-3 Tube
Pm-Igbt-Tfs-Sp1 Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology APTGT35A120T1G

Descrizioni

Descrizioni di Rochester Electronics BSM25GB120DN2 fornite dai suoi distributori.

Trans IGBT Module N-CH 1200V 38A 200000mW 7-Pin 34MM-1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LQFP
BSM25GB120 INSULATED GATE BIPOLAR TRANS;

Alias del produttore

Rochester Electronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Rochester Electronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Rochester Electronics LLC
  • ROCHESTER
  • ROCHESTER ELECTRONIC
  • ROCHESTER ELECTRONICS INC
  • ONSEMI (VIA ROCHESTER)
  • Rochester Electron
  • ROCHESTER(REI)
  • ROCHESTER INSTRUMENT
  • REI
  • Triscend Corp
  • NFROCHESTER
  • ROCHESTER ELECT INC
  • Rochester(Intersil)
  • Rochester Elec

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • BSM 25 GB 120 DN2