Renesas HFA3127BZ

INTERSIL HFA3127BZ Bipolar Transistor Array, NPN, 8 V, 150 mW, 37 mA, 130, SOIC
$ 7.288
Obsolete
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Documenti

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Farnell

Datasheet16 pagine26 anni fa
Datasheet14 pagine26 anni fa

Integrated Device Technology

IHS

Future Electronics

Factory Futures

Modelli CAD

Informazioni sul modello
Proveniente daRenesas
Data di rilascioAug 15, 2025
Conforme all'IPCIPC-7351B
Revisione della guida di stileVersione 1.0 - Nov 1, 2024
Origine della scheda tecnicaVersione 16.00 - Jan 24, 2019
Verifica

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-6.04%

Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8540000000
Introduction Date1998-10-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 months ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 months ago)

Parti correlate

onsemiMC1413DG
MC Series 500 mA 50 V NPN High Current Darlington Transistor Array - SOIC-16
onsemiMC1413BDG
MC Series 500 mA 50 V NPN High Current Darlington Transistor Array - SOIC-16
Seven NPN 500 mA 50 V SMT Darlington Transistor Array - SOIC-16
Trans Darlington NPN 50V 0.5A 1250mW 16-Pin SOL

Descrizioni

Descrizioni di Renesas HFA3127BZ fornite dai suoi distributori.

INTERSIL HFA3127BZ Bipolar Transistor Array, NPN, 8 V, 150 mW, 37 mA, 130, SOIC
HFA3127BZ Pent NPN RF Bipolar Transistor, 0.065 A, 8 V, 16-Pin SOIC
HFA3127 Series 5 NPN 65 mA 8 V UHF Transistor Array - SOIC-16
Trans GP BJT NPN 8V 0.065A 150mW 16-Pin SOIC N Tube
5 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MS-012AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-16
RF Small Signal Bipolar Transistor, 5-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, MS-012AC
Bulk Surface Mount SEPARATE 5ELEMENTS 16 RF Transistor 65mA 150mW 8GHz 12V
TRANSISTOR ARRAY, NPN, 5, 12V, SOIC
TRANSISTOR ARRAY; Module Configuration:Five; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:8V; Transition Frequency Typ ft:8GHz; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:37mA; DC Current Gain hFE:130; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:16; MSL:MSL 3 - 168 hours; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Ic Continuous a Max:11.3mA; Gain Bandwidth ft Typ:8GHz; No. of Transistors:5; Package / Case:SOIC; Supply Voltage Min:12V; Termination Type:SMD

Alias del produttore

Renesas ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Renesas può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Renesas Electronics
  • Renesas Electronics America Inc
  • Renesas Electronics America
  • RENESA
  • REN
  • RENES
  • RENESAS TECHNOLOGY CORP
  • RENESAS TECHNOLOGY
  • Renesas Electronics Corporation
  • RENESAS ELECTRONICS CORP
  • RENSAS
  • RENASAS
  • Renesas / Intersil
  • RNS
  • RENESAS-PB
  • RENESASTEC
  • RENESES
  • Renesas Technology America
  • Renesas Design Germany GmbH
  • Renesas / IDT
  • RENESASE
  • RENESAS TECHNOLOGY HONG KONG
  • Renesas Electronics Operations Services Limited
  • RENEASAS
  • RENESAS/M

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • HFA3127BZ.
  • HFA3127BZ..