Diodes Inc. BC848
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0 parti disponibili
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-05-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 9 months ago)
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. BC848 fornite dai suoi distributori.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Transistor, Power Rating - 0.25W, Polarity - NPN, DC Collector/Base Gain hfe Min - 110, DC Current Gain hFE Max - 800
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min110
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Transition Frequency100 MHz
Schede tecniche e documenti
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