Optek OPB861N51
$ 2.923
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Onlinecomponents.com | OPB861N51 | 0 | 500 | Bulk | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | OPB861N51 | 0 | 500 | Bulk | 9h | |||||||
| Master Electronics | OPB861N51 | 0 | 500 | |||||||||
| Microchip USA | OPB861N51 | 380 | 150 | Bulk | 10h | |||||||
| Component Stockers USA | OPB861N51 | 1738 | 2d |
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Optek OPB861N51.
Supply Chain
Country of OriginMexico
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Descrizioni
Descrizioni di Optek OPB861N51 fornite dai suoi distributori.
Optical Switches, Transmissive, Phototransistor Output Slotted Opt Switch
Photointerrupter Transmissive 3.18mm Phototransistor 4-Pin
SENSOR, SLOTTED OPTICAL SWITCH, 3.18MM SLOT, 2V EMITTER, 30V DETECTOR, 30 MA
Transistor Output Slotted Switch, 1-Channel, 3.11mm Slot Width
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS MODUL
Alias del produttore
Optek ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Optek può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- OPTEK TECHNOLOGY
- TT Electronics/Optek Technology
- OPTEK TECHNOLOGY INC
- OPT
- OPTE
- OPTEK TECH
- OPTEC
- OPTK
- Optek / TT Electronics
- Optek Technology/TT Electronics
- TT Electronics - Optek
- TT Optek
- OPTEK TEC
- OPTEK Technologies
- C- OPTEK
- OPTEK TECHNOLOG
- C-OPTEKTECH
- OPTEK MIL
- OPTEK TECH INC
- Kyocera Optrex
- BEDFORD OPTO TECHNOLOGY LTD
- OPTEK INC
Specifiche tecniche
Physical
MountChassis Mount, Through Hole
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current100 nA
Forward Current50 mA
Max Collector Current30 mA
Max Operating Temperature85 °C
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
Reverse Breakdown Voltage2 V
Schedule B8541408000
Sensing Distance3.175 mm
TouchscreenInfrared (IR)
Wavelength880 nm
Schede tecniche e documenti
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