Optek OPB842W51Z
$ 4.76
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Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -24.57%
Modelli CAD
0 modelli disponibili
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Optek OPB842W51Z.
Supply Chain
Country of OriginMexico
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Descrizioni
Descrizioni di Optek OPB842W51Z fornite dai suoi distributori.
880nm Through-Beam 3.18mm 20ms Phototransistor wire mounting，base mount 23.75mm*12.95mm*10.54mm
Slotted Optical Switch, 3.18Mm, Panel; |Tt Electronics / Optek Technology OPB842W51Z
Optical Switches, Transmissive, Phototransistor Output Slotted Opt Switch
SENSOR, SLOTTED OPTICAL SWITCH, 3.18MM SLOT, 2V EMITTER, 30V DETECTOR, 30 MA
3.18 mm SLOT WIDTH 1 CHANNEL SLOTTED OPTICAL SWITCH TRANSISTOR OUTPUT
Photointerrupter Transmissive 3.18mm Phototransistor 4-Pin Bag
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS MODUL
PHOTO INTERRUPTER, THROUGH BEAM, 3.18MM; Sensor Output: Phototransistor; Sensor Mounting: Panel Mount; Gap Width: 3.18mm; Aperture Width: 1.27mm; Forward Current If: 50mA; Reverse Voltage Vr: 2V; Forward Voltage: 1.7V; Product
Alias del produttore
Optek ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Optek può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- OPTEK TECHNOLOGY
- TT Electronics/Optek Technology
- OPTEK TECHNOLOGY INC
- OPT
- OPTE
- OPTEK TECH
- OPTEC
- OPTK
- Optek / TT Electronics
- Optek Technology/TT Electronics
- TT Electronics - Optek
- TT Optek
- OPTEK TEC
- OPTEK Technologies
- C- OPTEK
- OPTEK TECHNOLOG
- C-OPTEKTECH
- OPTEK MIL
- OPTEK TECH INC
- Kyocera Optrex
- BEDFORD OPTO TECHNOLOGY LTD
- OPTEK INC
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -24.57%
Modelli CAD
0 modelli disponibili
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
MountChassis Mount, Screw
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current100 nA
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.7 V
Input Current20 mA
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current30 mA
Max Operating Temperature80 °C
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output Voltage30 V
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
Reverse Breakdown Voltage2 V
Reverse Voltage (DC)2 V
Schedule B8541408000
Sensing Distance3.175 mm
TouchscreenInfrared (IR)
Wavelength880 nm
Schede tecniche e documenti
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