onsemi TIP31G
$ 0.38
Obsolete
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2024-04-02
LTD Date2024-10-02
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 weeks ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi TIP31G fornite dai suoi distributori.
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
TIP Series 60 V 3 A NPN Complementary Silicon Plastic Power Transistor TO-220AB
NPN Bipolar Power Transistor 40 V
Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
TRANSISTOR, NPN, 40V, 3A, TO-220
40V 40W 3A 10@3A4V 3MHz 1.2V@3A375mA NPN -65¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-220(TO-220-3) Bipolar Transistors - BJT ROHS
onsemi NPNTransistor, TO-220encapsulation, Through hole mounting, Maximum DC collector current3 A, maximum collector-emission voltage40 V
Transistor Polarity:npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:40V; Dc Collector Current:3A; Power Dissipation Pd:40W; Transistor Mounting:through Hole; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency Ft:3Mhz; Dc Current Gain Hfe:50Hfe; Msl:- Rohs Compliant: Yes
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min10
Max Collector Current3 A
Max Frequency3 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Schedule B8541290080
Transition Frequency3 MHz
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height15.748 mm
Length10.2616 mm
Width4.826 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità