onsemi SI3442DV
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Obsolete
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Distributore
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
0 modelli disponibili
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi SI3442DV.
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2007-04-06
LTD Date2007-10-06
Descrizioni
Descrizioni di onsemi SI3442DV fornite dai suoi distributori.
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel MOSFET (Metal Oxide) Mosfet Transistor 4.1A Ta 1.6W Ta 20V -55C~150C TJ
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6
1.6W(Ta) 8V 1V@ 250µA 14nC@ 4.5 V 1individualNChannel 20V 60mΩ@ 4.1A,4.5V 4.1A 365pF@10V SSOT-6 SMD mount 2.9mm*1.6mm*1.1mm
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
0 modelli disponibili
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.1 A
Current Rating4.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance365 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation800 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max60 mΩ
Rise Time25 ns
Turn-Off Delay Time28 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Schede tecniche e documenti
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