onsemi SGP10N60RUFDTU
$ 1.22
EOL
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.07%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2022-04-01
LTD Date2022-10-01
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Parti correlate
onsemiSGS10N60RUFTU
Tube Through Hole N-CHANNEL SINGLE IGBT Transistor 2.8V @ 15V 10A 16A 55W 15ns/36ns
onsemiSGS10N60RUFDTU
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 55000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube / IGBT 600V 16A 55W TO220F
onsemiHGTP7N60B3D
Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
STMicroelectronicsSTGF19NC60HD
STGF19NC60HD Series 600 V 16 A Flange Mount Very Fast IGBT - TO-220FP
Descrizioni
Descrizioni di onsemi SGP10N60RUFDTU fornite dai suoi distributori.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT, 600V, 10A, Short Circuit Rated
Transistor,igbt,n-Chan+Diode,600V V(Br)Ces,16A I(C),to-220 Rohs Compliant: Yes |Onsemi SGP10N60RUFDTU
Discrete, Short Circuit Rated IGBT with Diode
75W 2.5V 600V 16A TO-220-3 10.1mm*4.7mm*9.4mm
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Fairchild’s RUFD series of Insulated Gate Bipolar Transistors(IGBTs) provide low conduction and switching losses as well as short circuit ruggedness. The RUFD series is designed for applications such as motor control, UPS and general inverters where short circuit ruggedness is a required feature.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.07%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Current Rating10 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time220 ns
Max Breakdown Voltage600 V
Max Collector Current16 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation75 W
Reverse Recovery Time42 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità