onsemi SBC847BWT1G
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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 SnapEDA | Impronta | Scarica | |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Parti correlate
onsemiBC847CWT1G
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 420 @ 2mA 5V 15nA ICBO 150mW 100MHz
onsemiBC847BWT1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiBC847AWT1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
NXP SemiconductorsBC847AT,115
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, 110
NXP SemiconductorsPDTC144WE,115
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R
Descrizioni
Descrizioni di onsemi SBC847BWT1G fornite dai suoi distributori.
45 V 100 mA 100MHz 150 mW NPN Surface Mount Bipolar (BJT) Transistor - SOT-363
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
NPN Transistor 600mV@5mA,100mA 200mW 6V 15nA 50V 45V 100mA, SOT-323, SMD
Npn Bipolar Transistor/ Reel; |Onsemi SBC847BWT1G
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSC
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency100 MHz
hFE Min200
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation150 mW
Transition Frequency100 MHz
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità