onsemi NVS4409NT1G
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.37%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-10-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
InfineonBSS223PW L6327
MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3 P-Channel 20 V 390mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount PG-SOT323
onsemiNVF2201NT1G
Small Signal MOSFET 20V 300mA 1 Ohm Single N-Channel SC70 Small Signal MOSFET 20V 300mA 1 Ohm Single N-Channel SC-70
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NVS4409NT1G fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 25V 0.7A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Single N-Channel Small Signal Mosfet Wit; |Onsemi NVS4409NT1G
700 mA 25 V N-CHANNEL Si SMALL SIGNAL MOSFET
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Single N-Channel Small Signal MOSFET with ESD Protection 25V, 750mA, 350mΩ Small Signal MOSFET 25V 750mA 350 mOhm Single N-Channel SC-70 with ESD Protection
MOSFET, N-CH, 25V, 0.7A, SOT-323;
280mW(Tj) 8V 1.5V@ 250µA 1.5nC@ 4.5 V 1individualNChannel 25V 350mΩ@ 600mA,4.5V 700mA 60pF@10V SOT-323 SMD mount
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.37%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-323-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)700 mA
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance350 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time41 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance60 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation330 mW
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation280 mW
Rds On Max350 mΩ
Rise Time8.2 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Dimensions
Height1 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità