onsemi NVMYS1D3N04CTWG
$ 1.102
NRND
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -9.75%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi NVMYS1D3N04CTWG.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SimboloImpronta |
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Supply Chain
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NVMYS1D3N04CTWG fornite dai suoi distributori.
Power MOSFET, Single N-Channel, 40 V, 1.15Ω, 252 A
Trans MOSFET N-CH 40V 43A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
TRENCH 6 40V SL NFET / N-Channel 40 V 43A (Ta), 252A (Tc) 3.9W (Ta), 134W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Power Field-Effect Transistor, 252A I(D), 40V, 0.00115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
onsemi NMOS, Vds=40 V, 252 A, LFPAK,SOT-669, , 4
Mosfet, N Ch, 40V, 252A, Lfpak-4; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:252A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(On):0.00096Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Onsemi NVMYS1D3N04CTWG
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -9.75%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)252 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1.15 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation134 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.9 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.3 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità