onsemi NVMFS021N10MCLT1G
$ 0.361
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Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +178%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi NVMFS021N10MCLT1G.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2020-02-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NVMFS021N10MCLT1G fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel Power Mosfet 100 V, 31; |Onsemi NVMFS021N10MCLT1G
Trans MOSFET N-CH 100V 8.4A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
MOSFETs; NVMFS021N10MCLT1G; ON SEMICONDUCTOR; 100 V; 8.4 A; 20 V; 3.6 W
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 100V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
20V 100V 31A DFN-5 5.15mm(L) × 1mm(H)
100V, 31A, 23MOHM, N-CH, DFN 5x6
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +178%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)31 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance21 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.6 W
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time6.4 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità