onsemi NVMFD5C674NLT1G
$ 1.06
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Distributore
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Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.24%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi NVMFD5C674NLT1G.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-08-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NVMFD5C674NLT1G fornite dai suoi distributori.
Dual N−Channel Power MOSFET 60V, 42A, 14.4mΩ
NVMFD5C674NL Series 60 V 42 A 14.4 mOhm N-Channel Dual Power Mosfet - DFN8
Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin DFN EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.0204ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET Array Dual N-CH 60V 42A 8-Pin DFN T/R
Avnet Japan
MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 60V, DFN-8;
onsemi NChannel EnhancedMOSTube NVMFD5C674NLseries, Vds=60 V, 42 A, DFNencapsulation, surface mount, 8Pin
MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 60V, DFN-8; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 42A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.0117ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.24%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance20.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation37 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation3 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time18.6 ns
Turn-On Delay Time9.5 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità