onsemi NVH4L080N120SC1
$ 5.753
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -1.26%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi NVH4L080N120SC1.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2019-12-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NVH4L080N120SC1 fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 29A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Transistor MOSFET N-Channel 1200V 29A 4-Pin TO-247 Tube
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 1200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
1.2kV 29A 80m´Î@20V20A 170W 2.75V@5mA 6.5pF@800V N Channel 1.112nF@800V 56nC@-5~20V -55¡Í~+175¡Í@(Tj) TO-247-4 MOSFETs ROHS
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 29A, TO-247-4; MOSFET Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:29A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; No. of Pins:4Pins; Rds(on) Test Voltage:20V; Power Dissipation:170W RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -1.26%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)29 A
Drain to Source Breakdown Voltage1.2 kV
Drain to Source Resistance110 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2 kV
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation170 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time26.8 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height25.56 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità