onsemi NVGS5120PT1G
$ 0.422
Production
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Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +8.63%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-07-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
Diodes Inc.DMP6110SVT-7
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 7.3 A, 0.105 ohm, TSOT-26, Surface Mount
Diodes Inc.ZXMP6A17E6QTA
ZXMP6A17E6Q Series 60 V 2.3 A P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-6
onsemiCPH6444-TL-E
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NVGS5120PT1G fornite dai suoi distributori.
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 2.5 A, 0.111 ohm, TSOP, Surface Mount
Single P-Channel Power MOSFET -60V, -2.9A, 111mΩ
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
MOSFET, AEC-Q101, P-CH, -60V, TSOP; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.5A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.072ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +8.63%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance111 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance942 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.4 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation1.1 W
Rds On Max111 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time8.7 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità