onsemi NVD5C648NLT4G
$ 1.49
Production
Prezzo e stock
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Rivenditori non autorizzati
Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -6.88%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi NVD5C648NLT4G.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NVD5C648NLT4G fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel Power MOSFET 60V, 89A, 4.1mΩ DPAK 2500 tape and reel
Mosfet, N-Ch, 60V, 89A, 175Deg C, 72W Rohs Compliant: Yes |Onsemi NVD5C648NLT4G
Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin TO-252 T/R
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 60V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 89A, 175度 C, 72W;
MOSFET'S - SINGLE MOSFET'S TRANSISTORS;
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -6.88%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)89 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance5.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation72 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.1 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time47 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Dimensions
Height2.51 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità