onsemi NVBLS0D5N04CTXG
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Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -97.84%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China, Philippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2020-06-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NVBLS0D5N04CTXG fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 40V 65A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
Power MOSFET, 40 V, 300 A, 0.57 mΩ, Single N-Channel Power MOSFET, 40 V, 300 A, 0.57 mΩ, Single N-Channel
N-Channel 40 V 65 A 4.3 W Surface Mount Power Mosfet - HPSOF-8
N-Ch MOSFET 40V 570μΩ@50A,10V 12.6nF@25V 185nC@10V 4V@475µA 20V/16V 4.3W(Ta)/198.4W(Tc) HPSOF-8 SMD
场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 300A, 175度C, 198.4W;
MOSFET, N-CH, 40V, 300A, 175DEGC, 198.4W;
Power Field-Effect Transistor, 300A I(D), 40V, 0.57ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-299A
MOSFET, N-CH, 40V, 300A, H-PSOF;
MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF
40V 300A 0.5m´Î@10V50A 198.4W 2.8V@475Ã×A 227pF@25V N Channel 12.6nF@25V 185nC@10V -55¡Í~+175¡Í@(Tj) HPSOF-8L MOSFETs ROHS
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -97.84%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)300 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance570 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation198.4 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation4.3 W
Turn-Off Delay Time164 ns
Turn-On Delay Time40 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità