onsemi NTY100N10G
$ 6.919
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi NTY100N10G.
Supply Chain
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-02-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2009-12-19
LTD Date2010-06-19
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NTY100N10G fornite dai suoi distributori.
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 123A Tc 123A 313W 250ns
Power MOSFET 100 V, 123 A, N-Channel Enhancement-Mode TO264
Trans MOSFET N-CH 100V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-3BPL Rail
MOSFETs- Power and Small Signal 100V 123A N-Channel
Power Field-Effect Transistor, 123A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-264-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)123 A
Current Rating123 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time250 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance10.11 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation313 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation313 W
Rds On Max10 mΩ
Rise Time150 ns
Turn-Off Delay Time340 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi NTY100N10G.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità