onsemi NTTFS6H850NTAG
$ 0.594
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | NTTFS6H850NTAG | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Onlinecomponents.com | NTTFS6H850NTAG | 0 | 50 | Bulk | ||||||||
| Avnet | NTTFS6H850NTAG | 0 | 3K | 5d | ||||||||
| Future Electronics | NTTFS6H850NTAG | 0 | 1500 | Tape & Reel | ||||||||
| Master Electronics | NTTFS6H850NTAG | 0 | 50 |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -98.81%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi NTTFS6H850NTAG.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NTTFS6H850NTAG fornite dai suoi distributori.
In a Pack of 10, N-Channel MOSFET, 68 A, 80 V, 8-Pin WDFN ON Semiconductor NTTFS6H850NTAG
Transistor MOSFET N-CH 80V 68A 8-Pin WDFN T/R
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 80V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN / N-Channel 80 V 11A (Ta), 68A (Tc) 3.2W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
onsemi NMOS, Vds=80 V, 68 A, WDFN, , 8
Mosfet, N-Ch, 80V, 68A, Wdfn; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:68A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(On):0.0085Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTTFS6H850NTAG
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -98.81%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance17 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation107 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation107 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height800 µm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità