onsemi NTP6410ANG
$ 1.583
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +41.80%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTP75NF75FP
N channel 75 V, 0.0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Power MOSFET in TO-220FP package
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NTP6410ANG fornite dai suoi distributori.
Power MOSFET 100V 76A 13 mOhm Single N-Channel TO-220
NTP6410ANG N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 76 A, 100 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
76 A 100 V 0.013 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
100 V, 76 A, 13 MILLI OHM N-CHANNEL POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +41.80%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)76 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance13 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time190 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.5 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation188 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
Power Dissipation188 W
Rds On Max13 mΩ
Rise Time170 ns
Turn-Off Delay Time120 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height4.82 mm
Length10.28 mm
Width15.75 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità