onsemi NTP4302G
$ 0.318
Obsolete
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Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Parti alternative
Questo componente
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Price @ 1000
$ 0.318
$ 0.263
Stock
38,512
148,430
Authorized Distributors
1
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
74 A
74 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
9.3 mΩ
9.3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
80 W
80 W
Input Capacitance
2.4 nF
2.4 nF
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-11-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2006-10-12
LTD Date2007-04-12
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NTP4302G fornite dai suoi distributori.
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 74A Tc 74A 80W 30ns
Trans MOSFET N-CH 30V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Power Field-Effect Transistor, 74A I(D), 30V, 0.0093ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFETs- Power and Small Signal 30V 74A N-Channel
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)74 A
Current Rating74 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance9.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation80 W
Rds On Max9.3 mΩ
Rise Time70 ns
Turn-Off Delay Time32 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità