onsemi NTMFS5113PLT1G
$ 1.284
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Distributore
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Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +385%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi NTMFS5113PLT1G.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NTMFS5113PLT1G fornite dai suoi distributori.
Power MOSFET −60V, 64A, 14 mOhm, Single P-Channel, SO8-FL, Logic Level.
P-Ch MOSFET 60V 2.5V@250µA 83nC@10V 14mΩ@17A,10V 4.4nF@25V 3.8W(Ta) 150W(Tc) SMD
Tape & Reel (TR) RoHS Compliant Mosfet Transistor
NTMFS5113 Series 60 V 10 A 14 mOhm Single N-Channel MOSFET - DFN-5
Power Mosfet 60V, 64A, 14 Mohm, Single; |Onsemi NTMFS5113PLT1G
Power MOSFET -60 V, 14 mW, -64 A, Single P-Channel
NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM / 10A (Ta), 64A (Tc)
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
60V 64A 10.5m´Î@10V17A 150W 2.5V@250uA 319pF@25V P Channel 4.4nF@25V 45nC@4.5V -55¡Í~+175¡Í@(Tj) DFN-5 MOSFETs ROHS
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +385%
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.8 W
Turn-Off Delay Time54 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità