onsemi NTMFS4C08NT1G
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Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +1.85%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
onsemiNTMFS4841NT1G
Mosfet Transistor, N Channel, 57 A, 30 V, 4.7 Mohm, 11.5 V, 2.5 V Rohs Compliant: Yes
onsemiNTMFS4925NT3G
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 48A, 5.6mΩ Power MOSFET 30V 48A 6mOhm Single N-Channel SO-8FL
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NTMFS4C08NT1G fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel Power MOSFET 30V 52A 5.8mΩ
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
760mW(Ta) 20V 2.1V@ 250µA 18.2nC@ 10 V 1individualNChannel 30V 5.8mΩ@ 18A,10V 9A，52A 1.113nF@15V SMD mount 4.9mm*5.9mm*1.05mm
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
MOSFET, N-CH, 30V, 16.4A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16.4A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0046ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.1V;
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +1.85%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDFN
Number of Pins5
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance8.5 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.113 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max5.8 mΩ
Rise Time33 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità