onsemi NTMFS4946NT1G
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
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Supply Chain
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-11-24
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2022-04-01
LTD Date2022-10-01
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Parti correlate
onsemiNTMFS4835NT3G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 13A Ta 130A Tc 20A 62.5W 13ns
Diodes Inc.ZXMC3AMCTA
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
Diodes Inc.ZXMN3AMCTA
ZXMN3AMC Series 30 V 120 mOhm 2.9A Dual N-Ch Enhancement Mode Mosfet-DFN3020-B-8
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NTMFS4946NT1G fornite dai suoi distributori.
Nfet So8Fl 30V 100A 3.4Mo/Reel Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTMFS4946NT1G
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 100A, 3.4mΩ
30V 100A 3.8m´Î@4.5V30A 55.5W 1.8V@250uA 289pF@12V N Channel 3.25nF@12V 21.8nC@4.5V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SO-8FL MOSFETs ROHS
890mW(Ta)，55.5W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 53nC@ 11.5 V 1individualNChannel 30V 3.4mΩ@ 30A,10V 12.7A，100A 3.25nF@12V SO SMD mount 4.9mm*5.9mm*1.05mm
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDFN
Contact PlatingTin
Number of Pins5
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)12.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance5.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.25 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation55.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.25 W
Rds On Max3.4 mΩ
Rise Time34 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time24.6 ns
Turn-On Delay Time18.9 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità