onsemi NTMD6P02R2G
$ 0.555
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -5.03%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi NTMD6P02R2G.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | Scarica | |
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
VishaySI9926CDY-T1-GE3
Transistor: 2xN-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; 0.018ohm; 2W; -55+150 deg.C; SMD; SO8
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NTMD6P02R2G fornite dai suoi distributori.
P-Channel 20 V 33 mOhm 2 W Surface Mount Power MOSFET - SOIC-8
Dual P-Channel Power MOSFET -20V -6A 33mΩ
NTMD6P02: Power MOSFET 20V 7.8A 33 mOhm Dual P-Channel SO-8
MOSFET, P, 20V, SOIC-8; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -7.8A; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: -880mV; Power
P Channel Mosfet, -20V, Soic; Transistor, Polaridad:Canal P; Intensidad Drenador Continua Id:-7.8A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:-20V; Resistencia De Activación Rds(On):0.027Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):-4.5V |Onsemi NTMD6P02R2G
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -5.03%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.8 A
Current Rating-6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance33 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.7 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current6 A
Max Power Dissipation750 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Drivers2
Number of Elements1
Number of Outputs1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max33 mΩ
Resistance33 mΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-880 mV
Turn-Off Delay Time85 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità