onsemi NTLJS1102PTBG

Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:8.1A; Drain Source Voltage, Vds:-8V; On Resistance, Rds(on):36mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-720mV; Power Dissipation, Pd:3.3W ;RoHS Compliant: Yes

Newark

Alias del produttore

onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Cronologia dell'inventario

Trend storico dell'inventario non disponibile

Modelli CAD

0 modelli disponibili

Parti alternative

0 parti disponibili

Specifiche tecniche

Physical

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins6

Number of Terminals6

Technical

Continuous Drain Current (ID)3.7 A

Drain to Source Breakdown Voltage-8 V

Drain to Source Resistance36 mΩ

Drain to Source Voltage (Vds)8 V

Fall Time70 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)6 V

Input Capacitance1.585 nF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation3.3 W

Min Breakdown Voltage8 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape & Reel (TR)

Power Dissipation3.3 W

Rds On Max36 mΩ

Resistance36 mΩ

Rise Time41 ns

Turn-Off Delay Time80 ns

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi NTLJS1102PTBG.

IHS

Datasheet8 pagine17 anni fa

onsemi

Conformità

Classificazione ambientale

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

RoHSCompliant

Dichiarazioni di conformità

Rohs Statement3 pagine5 anni fa

Reach Statement8 pagine11 anni fa

Rohs StatementN/AN/A