onsemi NTLGF3501NT2G
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Obsolete
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Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Questo componente
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Price @ 1000
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$ 0.481
Stock
1,237,209
171,604
Authorized Distributors
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DFN
DFN
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
20 V
Continuous Drain Current (ID)
2.8 A
2.8 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
90 mΩ
90 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
12 V
Power Dissipation
1.74 W
1.74 W
Input Capacitance
275 pF
275 pF
Supply Chain
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-03-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NTLGF3501NT2G fornite dai suoi distributori.
MOSFETs- Power and Small Signal NFET 3X3 20V 3.0A 9MOHM
Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 2-Pin SOD-123 T/R
N Channel Mosfet, 20V, 3.4A, Dfn6
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 20V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
1.14W(Ta) 12V 2V@ 250µA 10nC@ 4.5V 1individualNChannel 20V 90mΩ@ 3.4A,4.5V 2.8A 275pF@10V DFN-6 SMD mount 2.69mm*1.6mm*1.12mm
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
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Modelli CAD
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDFN
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance90 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time13.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance275 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.14 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.74 W
Rds On Max90 mΩ
Rise Time13.6 ns
Turn-Off Delay Time9 ns
Turn-On Delay Time4.8 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità