onsemi NTHL160N120SC1
$ 4.265
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -9.68%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi NTHL160N120SC1.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-08-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NTHL160N120SC1 fornite dai suoi distributori.
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 17 A, 1.2 kV, 0.162 ohm, TO-247
Transistor MOSFET N-Channel 1200V 26.5A 3-Pin TO-247 Tube
Avnet Japan
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 1200V, 0.224ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Sic Mosfet, N-Ch, 20V, 17A, To-247; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:1.2Kv; No. Of Pins:3Pins; Rds(On) Test Voltage:20V; Power Dissipation:119W Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTHL160N120SC1
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -9.68%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247-3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage1.2 kV
Drain to Source Resistance224 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2 kV
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation119 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation119 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height24.75 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità