onsemi NTHL019N65S3H
$ 17.413
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -2.12%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi NTHL019N65S3H.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NTHL019N65S3H fornite dai suoi distributori.
Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET® III, FAST, 650 V, 75 A, 19.3 mΩ, TO-247
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 / N-Channel 650 V 75A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-247-3
Mosfet, N-Ch, 650V, 75A, 150Deg C, 625W Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTHL019N65S3H
Transistor MOSFET N-Channel 650V 75A 3-Pin TO-247 Tube
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 650V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AB
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -2.12%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247-3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance19 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation595 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation625 W
Turn-Off Delay Time182 ns
Turn-On Delay Time54 ns
Dimensions
Height24.75 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità