onsemi NTH4L040N120SC1
$ 12.814
Production
Prezzo e stock
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Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +2.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2020-01-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NTH4L040N120SC1 fornite dai suoi distributori.
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 58 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4 / N-Channel 1200 V 58A (Tc) 319W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L
Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 1200V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
1.2kV 58A 40m´Î@20V35A 319W 3V@10mA 11pF@800V N Channel 1.762nF@800V 106nC@-5~20V -55¡Í~+175¡Í@(Tj) TO-247-4 MOSFETs ROHS
Sic Mosfet, N-Ch, 20V, 58A, To-247; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:58A; Drain Source Voltage Vds:1.2Kv; No. Of Pins:4Pins; Rds(On) Test Voltage:20V; Power Dissipation:319W Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTH4L040N120SC1
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +2.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)58 A
Drain to Source Breakdown Voltage1.2 kV
Drain to Source Resistance56 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2 kV
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation319 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation319 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height25.56 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi NTH4L040N120SC1.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità