onsemi NTD4863NT4G
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Obsolete
Prezzo e stock
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Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Country of OriginVietnam
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-12-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2016-08-05
LTD Date2017-02-05
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
onsemiNTD4863N-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 9.2A Ta 49A Tc 8.6A 1.95W 16.5ns
onsemiNTD4860N-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 10.4A Ta 65A Tc 12.6A 2W 2.3ns
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NTD4863NT4G fornite dai suoi distributori.
Power MOSFET 25V 49A 9.3 mOhm Single N-Channel DPAK
Transistor MOSFET N-CH 25V 11.3A 3-Pin (2+Tab) DPAK T/R
NTD4863NT4G N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 49 A, 25 V, 3-PIN DPAK
1.27W(Ta)，36.6W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 13.5nC@ 4.5 V 1individualNChannel 25V 9.3mΩ@ 30A,10V 9.2A，49A 990pF@12V TO-252 SMD mount 2.38mm(height)
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance990 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation36.6 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1.95 W
Rds On Max9.3 mΩ
Rise Time16.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time20.2 ns
Turn-On Delay Time11.5 ns
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità