onsemi NTBG022N120M3S

Name: onsemi NTBG022N120M3S
Brand: onsemi
SKU: NTBG022N120M3S

SIC MOSFET 1200 V 22 MOHM M3S SE / N-Channel 1200 V 58A (Tc) 234W (Tc) Surface Mount D2PAK-7

$ 10.564

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	3	NTBG022N120M3S	674	50				13,250	12,588	12,588	2d
Newark	2	NTBG022N120M3S	160	1	Cut Tape	7,070	7,070	7,070	7,070	7,070
Verical	2	NTBG022N120M3S	611	2			8,054	7,151	7,151	7,151
Arrow Electronics		NTBG022N120M3S	30	1		9,117	8,054	7,151	7,151	7,151
Rochester Electronics		NTBG022N120M3S	3270					10,770	9,640	9,070	23h

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IHS

Datasheet8 pagine2 anni fa

Farnell

Newark

Future Electronics

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Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2022-03-24

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 days ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

Descrizioni

Descrizioni di onsemi NTBG022N120M3S fornite dai suoi distributori.

SIC MOSFET 1200 V 22 MOHM M3S SE / N-Channel 1200 V 58A (Tc) 234W (Tc) Surface Mount D2PAK-7

Win Source

D2PAK7(TO-263-7L-HV) Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS

EBEE

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V

onsemi

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

Richardson RFPD

Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 1200V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB

IHS

SIC MOSFET, N-CH, 18V, 58A, TO-263HV; MOSFET Module Configuration: Single; Channel Type: N Channel; Continuous Drain Current Id: 58A; Drain Source Voltage Vds: 1.2kV; No. of Pins: 7Pins; Rds(on) Test Volta 47AK6045

Farnell

Immagini

element14 APAC

Alias del produttore

onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi: