onsemi NSVMMBT6429LT1G
$ 0.084
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | NSVMMBT6429LT1GOSCT-ND | 2834 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | NSVMMBT6429LT1G | 4870 | 25K | 23h | ||||||||
| Newark | NSVMMBT6429LT1G | 3703 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Rochester Electronics | NSVMMBT6429LT1G | 1104 | 21h | |||||||||
| Flip Electronics | NSVMMBT6429LT1G | 2435 | 6d |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -10.29%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi NSVMMBT6429LT1G.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
onsemiMMBT6429LT1
Cut Tape (CT) Surface Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 500 @ 100muA 5V 100nA 225mW 700MHz
Descrizioni
Descrizioni di onsemi NSVMMBT6429LT1G fornite dai suoi distributori.
45V 300mW 500@100uA,5V 200mA NPN SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, NPN
NSVMMBT6429LT1 Series 45 V 200 mA 225 mW SMT NPN Silicon Transistor - SOT-23
Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Bipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Trnsistr
600mV@ 5mA,100mA NPN 300mW 6V 100nA 55V 45V 200mA SOT-23-3,TO-236
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 45V, SOT-23; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45V; Transition Frequency ft: 700MHz; Power Dissipation Pd: 225mW; DC Collector Current: 200mA; DC Current Gain hFE: 500hFE;
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -10.29%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Number of Pins3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)55 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency700 MHz
hFE Min500
Max Collector Current200 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi NSVMMBT6429LT1G.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità