onsemi MJW21196G
$ 2.12
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +42.18%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi MJW21196G.
Modelli CAD
Scarica il simbolo onsemi MJW21196G, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi MJW21196G fornite dai suoi distributori.
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-247, Through Hole
Bipolar Transistor, NPN, 250 V, 16 A
Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / TRANS NPN 250V 16A TO247
MJL Series 250 V 16 A Flange Mount NPN Silicon Power Transistor - TO-247
Bipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
Transistor, Biploar Npn 16A To247; |Onsemi MJW21196G
onsemi NPNTransistor, TO-247encapsulation, Through hole mounting, Maximum DC collector current16 A, maximum collector-emission voltage250 V
The MJW21195 and MJW21196 utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output disk head positioners and linear applications.
TRANSISTOR, BIPLOAR NPN 16A TO247; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 250V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 200W; DC Collector Current: 16A; DC Current Gain hFE: 20hFE; Transistor C
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +42.18%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)400 V
Collector Emitter Breakdown Voltage250 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)250 V
Current Rating16 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency4 MHz
Gain Bandwidth Product4 MHz
hFE Min8
Max Collector Current16 A
Max Frequency1 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation200 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency4 MHz
Voltage Rating (DC)250 V
Dimensions
Height21.08 mm
Length16.26 mm
Width5.3 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi MJW21196G.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità