Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +84.25%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi MJL21196G.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SimboloImpronta |
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
onsemi2SC5200OTU
Power Bipolar Transistor, 17A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-264AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
onsemi2SC5200RTU
Power Bipolar Transistor, 17A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-264AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Descrizioni
Descrizioni di onsemi MJL21196G fornite dai suoi distributori.
Bipolar Transistor, NPN, 250 V, 16 A
Trans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube / TRANS NPN 250V 16A TO264
250V 200W 16A NPN TO-264-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
MJL Series 250 V 16 A Flange Mount NPN Silicon Power Transistor - TO-264
SILICON POWER TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-264AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
The MJL21195 and MJL21196 utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output disk head positioners and linear applications.
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 250V, TO-264-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 250V; Transition Frequency ft: 4MHz; Power Dissipation Pd: 200W; DC Collector Current: 16A; DC Current Gain hFE: 8hFE; Trans
TRANSISTOR, NPN, 250 V, 16 A, TO-264-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage Max:250V; Continuous Collector Current:16A; Power Dissipation:200W; Transistor Mounting:Through Hole; No. of Pins:3Pins; Product Range:- RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +84.25%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-264
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)400 V
Collector Emitter Breakdown Voltage250 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.4 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)250 V
Current Rating16 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency4 MHz
Gain Bandwidth Product4 MHz
hFE Min8
Max Collector Current16 A
Max Frequency1 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation200 W
Transition Frequency4 MHz
Voltage Rating (DC)250 V
Dimensions
Height29 mm
Length20.3 mm
Width5.3 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità