onsemi MJE253G
$ 0.347
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Distributori autorizzati
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Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1991-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi MJE253G fornite dai suoi distributori.
Bipolar (BJT) Single Transistor, Audio, PNP, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Through Hole
TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, PNP, POWER, VCEO 100VDC, IC 4A, PD 15W, TO-225,VCBO 100VDC
4.0 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor
Bipolar Transistors (BJT); MJE253G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 3; 100 V; 4 A
100V 1.5W 40@200mA,1V 4A PNP TO-225 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Trans GP BJT PNP 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
MJE Series 100 V 5 A PNP Complementary Silicon Power Plastic Transistor - TO-225
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
onsemi PNPTransistor, TO-225encapsulation, Through hole mounting, Maximum DC collector current-4 A, maximum collector-emission voltage-100 V
TRANSISTOR, PNP, -4A, -100V, TO225AA; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: 40MHz; Power Dissipation Pd: 15W; DC Collector Current: 4A; DC Current Gain hFE: 40hFE; Transis
Bipolar Transistor, Pnp, -100V, To-225; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max:100V; Continuous Collector Current:4A; Power Dissipation:1.5W; Transistor Mounting:Through Hole; No. Of Pins:3Pins; Product Range:-; Msl:-Rohs Compliant: Yes |Onsemi MJE253G.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-225
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating-4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency40 MHz
Gain Bandwidth Product40 MHz
hFE Min15
Max Collector Current4 A
Max Frequency40 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Schedule B8541290080
Transition Frequency40 MHz
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height11.04 mm
Length7.74 mm
Width2.66 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità