onsemi MJD47T4
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Trend storico dell'inventario non disponibile
Modelli CAD
0 modelli disponibili
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi MJD47T4.
Supply Chain
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1991-06-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2011-01-06
LTD Date2011-07-02
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi MJD47T4 fornite dai suoi distributori.
1.0 A, 250 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Cut Tape (CT) Surface Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 30 @ 300mA 10V 200muA 1.56W 10MHz
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Trend storico dell'inventario non disponibile
Modelli CAD
0 modelli disponibili
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-252-3
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)350 V
Collector Emitter Breakdown Voltage250 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)250 V
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product10 MHz
hFE Min10
Max Breakdown Voltage250 V
Max Collector Current1 A
Max Operating Temperature140 °C
Max Power Dissipation15 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation15 W
Transition Frequency10 MHz
Voltage Rating (DC)250 V
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi MJD47T4.