onsemi MJD42C1G
$ 0.351
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SimboloImpronta |
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Supply Chain
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1995-08-31
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Parti correlate
onsemiMJD45H11-1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-251, Through Hole
Descrizioni
Descrizioni di onsemi MJD42C1G fornite dai suoi distributori.
6.0 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor
100V 20W 6A 15@3A4V 3MHz 1.5V@6A600mA PNP -65¡Í~+150¡Í@(Tj) IPAK Bipolar Transistors - BJT ROHS
Bipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W PNP
Trans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Transistor, Bipol, Pnp, -100V; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:-100V; Transition Frequency Ft:3Mhz; Power Dissipation Pd:20W; Dc Collector Current:-6A; Dc Current Gain Hfe:15Hfe; Transistor Case Rohs Compliant: Yes |Onsemi MJD42C1G
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-251
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating-6 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min15
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current6 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation1.75 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency3 MHz
Voltage Rating (DC)-100 V
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità