onsemi MJ11016G
$ 2.987
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -43.33%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi MJ11016G.
Modelli CAD
Scarica il simbolo onsemi MJ11016G, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | 3D | Scarica | |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi MJ11016G fornite dai suoi distributori.
30 A, 120 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Bipolar junction transistor, NPN, 30 A, 120 V, THT, TO-3, MJ11016G
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin
MJ Series 120 V 30 A NPN High Current Darlington Silicon Transistor TO-204AA
ON SEMI NPN DARLINGTON TRANSISTOR 30 A 120 V HFE:200 3-PIN TO-204
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 120V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 200W; DC Collector Current: 30A; DC Current Gain hFE: 1000hFE; Transistor Case
Bipolar Transistor, Npn, 120V, To-204; Transistor Polarity:Npn; No. Of Pins:2Pins; Transistor Mounting:Through Hole; Operating Temperature Max:200°C; Product Range:-; Qualification:-; Collector Emitter Voltage Max:120V Rohs Compliant: Yes |Onsemi MJ11016G.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -43.33%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-204-3
Contact PlatingTin
Number of Pins2
Number of Terminals2
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage120 V
Collector Emitter Saturation Voltage3 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)120 V
Continuous Collector Current30 A
Current Rating30 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min200
Max Collector Current30 A
Max Operating Temperature200 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation200 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency4 MHz
Voltage Rating (DC)120 V
Dimensions
Height8.51 mm
Length39.37 mm
Width26.67 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi MJ11016G.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità