onsemi KSP10BU
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Tendenza a 3 mesi: -0.02%
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi KSP10BU fornite dai suoi distributori.
RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92
KSP10 Series 25 V 350 mW Through Hole NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-92
25V 350mW 60@4mA10V 650MHz 500mV@4mA400Ã×A NPN +150¡Í@(Tj) TO-92 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Bipolar - RF Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 1 W, 60
Trans RF BJT NPN 25V 350mW 3-Pin TO-92 Bag
TRANS, RF, NPN, 25V, 650MHZ, TO-226AA-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 25V; Transition Frequency ft: 650MHz; Power Dissipation Pd: 1W; DC Collector Current: -; DC Current Gain hFE: 60hFE; RF Tra
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.02%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight179 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage25 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)25 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)3 V
Frequency650 MHz
Gain Bandwidth Product650 MHz
hFE Min60
Max Collector Current50 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation350 mW
Transition Frequency650 MHz
Voltage Rating (DC)25 V
Dimensions
Height5.33 mm
Length4.58 mm
Width3.86 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità