onsemi KSD882YS
$ 0.232
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | KSD882YS | 202.000 | 1495 | |||||||||
| Rochester Electronics | KSD882YS | 202.000 | 6h | |||||||||
| Farnell | KSD882YS | 0 | 2K | 1d | ||||||||
| Mouser | 512-KSD882YS | 157 | 1 | Bulk | ||||||||
| Win Source | WS-KSD882YS | 22.000 | 435 | 7h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: Restocked
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi KSD882YS.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-12-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2024-04-02
LTD Date2024-10-02
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Parti correlate
Diodes Inc.APT13003DU-G1
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126
onsemiKSC2258ASTU
Tube Through Hole NPN Bipolar (BJT) Transistor 40 @ 40mA 20V 100mA 4W 100MHz
Descrizioni
Descrizioni di onsemi KSD882YS fornite dai suoi distributori.
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Trans GP BJT NPN 30V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bulk
500mV@ 200mA,2A NPN 1W 5V 1¦ÌA 40V 30V 3A TO-126-3 8mm*3.25mm*11mm
1Ã×A 30V 10W 3A 160@1A2V 90MHz 300mV@2A200mA NPN -55¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-126 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Npn/40V/3A Rohs Compliant: Yes |Onsemi KSD882YS
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: Restocked
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-126
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency90 MHz
Gain Bandwidth Product90 MHz
hFE Min160
Max Collector Current3 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation10 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency90 MHz
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height14.2 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità