onsemi KSD1616AGBU
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Tendenza a 3 mesi: -6.54%
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
onsemiKSD1616ALBU
Bulk Through Hole NPN KSD1616 Bipolar (BJT) Transistor 300 @ 100mA 2V 1A 750mW 160MHz
onsemiKSD1616GBU
Bulk Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 100mA 2V 100nA ICBO 750mW 160MHz
onsemiKSD1616LBU
Bulk Through Hole NPN KSD1616 Bipolar (BJT) Transistor 300 @ 100mA 2V 1A 750mW 160MHz
Descrizioni
Descrizioni di onsemi KSD1616AGBU fornite dai suoi distributori.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 160 MHz, 750 mW, 1 A, 200
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
60V 750mW 1A 200@100mA2V 160MHz NPN 150mV@1A50mA +150¡Í@(Tj) TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 60V, TO-226AA-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60V; Transition Frequency ft: 160MHz; Power Dissipation Pd: 750mW; DC Collector Current: 1A; DC Current Gain hFE: 200hFE; T
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight179 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage150 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency160 MHz
Gain Bandwidth Product160 MHz
hFE Min200
Max Collector Current1 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation750 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation750 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency160 MHz
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height5.33 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità