onsemi KSB1116AYTA
$ 0.044
Obsolete
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Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
0 modelli disponibili
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi KSB1116AYTA.
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2012-06-20
LTD Date2012-12-20
Parti correlate
onsemiMPSA55RLRAG
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
Descrizioni
Descrizioni di onsemi KSB1116AYTA fornite dai suoi distributori.
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 1A 120MHz 750mW Through Hole TO-92-3
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
Trans GP BJT PNP 60V 1A 3-Pin TO-92 Ammo
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
0 modelli disponibili
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage-200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating-1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-6 V
Frequency120 MHz
Gain Bandwidth Product120 MHz
hFE Min135
Max Collector Current1 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation750 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation750 mW
Transition Frequency120 MHz
Voltage Rating (DC)-60 V
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità