onsemi KSA1013OTA
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Obsolete
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Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
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Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2020-01-16
LTD Date2020-07-16
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Parti correlate
onsemiKSB1116SYBU
Bulk Through Hole PNP KSB1116 Bipolar (BJT) Transistor 135 @ 100mA 2V 1A 750mW 120MHz
Descrizioni
Descrizioni di onsemi KSA1013OTA fornite dai suoi distributori.
Transistor,bjt,pnp,160V V(Br)Ceo,1A I(C),to-92 Rohs Compliant: Yes
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Transistor
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 160V 1A 3-Pin TO-92L Ammo
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight371.1027 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-160 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-160 V
Collector Emitter Saturation Voltage-1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)160 V
Current Rating-1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-6 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage160 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency1 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation900 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation900 mW
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)-160 V
Dimensions
Height11.6 mm
Length5.1 mm
Width4.1 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità