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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
0 modelli disponibili
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi ISL9N315AD3ST.
Descrizioni
Descrizioni di onsemi ISL9N315AD3ST fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Not available to order N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
55W 20V 18nC@ 10V 1individualNChannel 30V 15mΩ@ 10V 30A 900pF@ 15V TO-252 SMD mount，glue mount 6.73mm*6.22mm*2.39mm
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
0 modelli disponibili
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance15 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time28 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature175 °C
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation55 W
Rise Time49 ns
Turn-Off Delay Time27 ns
Schede tecniche e documenti
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